مقاله بررسی وابستگی موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی ترانزیستور اثر میدانی به طول کانال ترانزیستور در محدودهی دمایی دمای اتاق تا نیتروژن مایع تحت فایل ورد (word) دارای 6 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی وابستگی موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی ترانزیستور اثر میدانی به طول کانال ترانزیستور در محدودهی دمایی دمای اتاق تا نیتروژن مایع تحت فایل ورد (word) کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی وابستگی موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی ترانزیستور اثر میدانی به طول کانال ترانزیستور در محدودهی دمایی دمای اتاق تا نیتروژن مایع تحت فایل ورد (word) ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی وابستگی موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی ترانزیستور اثر میدانی به طول کانال ترانزیستور در محدودهی دمایی دمای اتاق تا نیتروژن مایع تحت فایل ورد (word) :

سال انتشار: 1390

محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: 6

نویسنده(ها):

سیدمعین سیدفخاری – دانشگاه صنعتی شریف،دانشکده مهندسی برق،آزمایشگاه ادوات و مدارهای اب
سیده سارا قریشی زاده – integrated system laboratory (LSI), Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), Laussanne, Switzerland
علی مدی – دانشگاه صنعتی شریف،دانشکده مهندسی برق،آزمایشگاه طراحی مدارهای مجت
مهدی فردمنش – دانشگاه صنعتی شریف،دانشکده مهندسی برق،آزمایشگاه ادوات و مدارهای اب

چکیده:

مدلی جامع برای موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی MOSFETبرحسب دما، میدان مؤثر عمودی و طول کانال ارائه شده است.بدین منظور ترانزیستورهایی در چهار سایز مختلف با طول کانالهای متفاوت ساخته شد و موبیلیتی آنها در دمای اتاق و نیتروژن مایع و نیزچندین دمای میانی اندازه گیری شد، از روی نتایج این اندازه گیریها میزان هریک از مکانیزمهای پراکندگی در هر دما و برای هر طول کانال استخراج شد و با تطبیق این نتایج با منحنیهای چند جملهای نهایتاً وابستگی این مکانیزمها به طول کانال بدست آمد. بر اساس این نتایج مدلی جامع برای موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی ماسفت ارائه شد که تا حدود زیادی پارامترهای ساختاری ماسفت از جمله چگالی ناخالصی بدنه و ضخامت اکسید گیت در این مدل لحاظ شدهاست