مقاله مدلسازی، شبیه سازی و اعتبار سنجی ترانزیستور دو قطبی سیلیکون – کاربید قدرت براساس مدل فیزیکی بیان شده با معادله انتشار Ambiplor تحت فایل ورد (word) دارای 10 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله مدلسازی، شبیه سازی و اعتبار سنجی ترانزیستور دو قطبی سیلیکون – کاربید قدرت براساس مدل فیزیکی بیان شده با معادله انتشار Ambiplor تحت فایل ورد (word) کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مدلسازی، شبیه سازی و اعتبار سنجی ترانزیستور دو قطبی سیلیکون – کاربید قدرت براساس مدل فیزیکی بیان شده با معادله انتشار Ambiplor تحت فایل ورد (word) ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله مدلسازی، شبیه سازی و اعتبار سنجی ترانزیستور دو قطبی سیلیکون – کاربید قدرت براساس مدل فیزیکی بیان شده با معادله انتشار Ambiplor تحت فایل ورد (word) :

سال انتشار: 1392
محل انتشار: همایش منطقه ای برق و کامپیوتر
تعداد صفحات: 10
چکیده:
این مقاله یک مدل مبتنی بر فیزیک ترانزیستور پیوند دو قطبی و صحت اعتبار آن را از طریق شبیه سازی نشان می دهد. راه حل سری فوریه به منظور حل معادله انتشار تساوی یون های مثبت و منفی (Ambipolar) در ناحیه کلکتور ترانزیستور استفاده می شود. این مدل توسط MARLAB و Simulink تحقق می یابد. نتایج حاصل از شبیه سازی تغییرات شکل موج ها بدست خواهند آمد.